中國工業和信息化部9月中旬印發《首台(套)重大技術裝備推廣應用指導目錄(2024年版)》,目錄中列出最新DUV曝光機,宣稱分辨率≤65nm、套刻精度≤8nm,消息令不少中國民眾雀躍,甚至認為可以生產8奈米晶片,但陸媒以及西方媒體卻認為,此款DUV曝光機僅能生產65奈米或以下的晶片。
根據陸媒《芯智訊》報導,有些人得知中國國產曝光機套刻精度≤8nm,於是認為這是8奈米,還大肆宣傳能夠生產8奈米晶片,甚至可以突破美國的技術封鎖,這是錯誤的訊息。
《芯智訊》指出,氟化氪曝光機屬於老式的248奈米光源的KrF曝光機,解析度≤110nm、套刻精度≤25nm,再者目錄中的是乾式DUV曝光機,不是先進的浸沒式DUV曝光機(ArF曝光機)。
《芯智訊》說明,套刻精度指的是每一層曝光層之間的對準精度,依照工信部公布的DUV曝光機,估計僅能生產65奈米或以下的晶片。
不僅如此,西方媒體「WccfTech」也直言,大陸新公布國產DUV曝光機至少落後美國15年,因為艾司摩爾(ASML)早在2009年就能透過ArF曝光機生產晶片。
(封面示意圖/Unsplash)